Dalam satu pencapaian penting dalam teknologi memori, SanDisk telah memperkenalkan High-Bandwidth Flash (HBF), inovasi revolusioner yang merapatkan jurang antara storan NAND tradisional dan memori berprestasi tinggi. Perkembangan ini hadir pada masa yang kritikal apabila aplikasi AI memerlukan kapasiti memori berkelajuan tinggi yang belum pernah berlaku sebelum ini.
Seni Bina Revolusioner
Teknologi HBF SanDisk mewakili perubahan asas dalam reka bentuk memori, menggabungkan keupayaan storan besar 3D NAND dengan lebar jalur yang setanding dengan High Bandwidth Memory (HBM). Seni bina ini menggunakan teknik penindanan canggih yang boleh memuatkan 16 dai teras HBF yang dihubungkan melalui silicon vias (TSV), semuanya dibina di atas dai logik khusus. Pendekatan unik ini membolehkan akses selari kepada pelbagai sub-tatasusunan kilat, memberikan lebar jalur yang luar biasa sambil mengekalkan kelebihan kos NAND.
 |
|---|
| Gambar rajah terperinci tindanan High Bandwidth Flash (HBF) yang mempamerkan seni bina dan komponen canggihnya |
Kapasiti Luar Biasa
Generasi pertama HBF menunjukkan keupayaan yang mengagumkan, menyokong sehingga 4TB kapasiti VRAM apabila dikonfigurasi dengan lapan tindanan. Setiap tindanan menyimpan 512GB memori, jauh mengatasi penyelesaian HBM3E semasa yang biasanya menawarkan 24GB setiap tindanan. Ini mewakili peningkatan kapasiti sebanyak 21 kali ganda, berpotensi merevolusikan cara pemprosesan aplikasi AI yang intensif data.
Spesifikasi Utama:
- Konfigurasi Tindanan: 16 die teras HBF setiap tindanan
- Kapasiti Maksimum: 4TB (menggunakan 8 tindanan)
- Kapasiti Tindanan Individu: 512GB
- Kapasiti Die Teras: 256Gb setiap die
- Kapasiti Perbandingan: 21 kali ganda lebih tinggi berbanding HBM3E (24GB) setiap tindanan
Prestasi dan Pelaksanaan
Walaupun SanDisk belum mendedahkan angka lebar jalur yang spesifik, syarikat itu mendakwa HBF akan menyamai lebar jalur HBM sambil memberikan kapasiti 8 hingga 16 kali lebih besar pada kos yang setara. Teknologi ini menggunakan antara muka elektrik yang serupa dengan HBM, walaupun ia memerlukan beberapa pengubahsuaian protokol untuk peranti hos. Pilihan reka bentuk strategik ini boleh memudahkan penggunaan oleh pengeluar perkakasan.
Kedudukan Pasaran dan Aplikasi Masa Depan
SanDisk memposisikan HBF terutamanya untuk beban kerja inferens AI di mana pemprosesan tinggi dan kapasiti adalah lebih penting daripada kependaman ultra-rendah yang disediakan oleh penyelesaian DRAM tradisional. Syarikat ini membayangkan spektrum aplikasi yang lebih luas, termasuk potensi pelaksanaan dalam peranti pengguna seperti telefon pintar. Untuk menggalakkan penggunaan meluas, SanDisk sedang berusaha untuk menetapkan HBF sebagai standard terbuka dan membentuk lembaga penasihat teknikal dengan rakan industri.
Cabaran Teknikal
Walaupun menjanjikan, HBF menghadapi beberapa halangan teknikal. Teknologi ini perlu menangani keterbatasan ketahanan penulisan NAND dan kekangan pengalamatan berasaskan blok. SanDisk telah menggariskan pelan pembangunan tiga generasi, mencadangkan komitmen jangka panjang untuk menyelesaikan cabaran-cabaran ini dan memajukan keupayaan teknologi tersebut.
 |
|---|
| Perwakilan visual pelan tindakan HBF yang memperincikan penambahbaikan yang dirancang dalam kapasiti, lebar jalur bacaan, dan kecekapan tenaga merentasi generasi |