Industri semikonduktor sedang menyaksikan perkembangan yang berpotensi mengubah lanskap apabila Harbin Institute of Technology ( HIT ) mengumumkan kejayaan dalam teknologi sumber cahaya Ultraungu Ekstrem ( EUV ), menandakan langkah penting dalam usaha China membangunkan keupayaan pembuatan semikonduktor termaju.
 |
|---|
| Kejayaan HIT dalam teknologi sumber cahaya EUV menandakan kemajuan penting bagi keupayaan pembuatan semikonduktor China |
Teknologi DPP Revolusioner
HIT telah berjaya membangunkan sumber cahaya EUV 13.5nm menggunakan teknologi Discharge-Produced Plasma ( DPP ), berbeza daripada pendekatan tradisional Laser-Produced Plasma ( LPP ) yang digunakan oleh pemimpin industri Cymer. Kaedah inovatif ini menggunakan radiasi pecutan zarah berbanding teknologi kanta, menunjukkan kecekapan dan ketepatan yang lebih tinggi walaupun kerumitan teknikalnya meningkat.
Spesifikasi Teknologi:
- Panjang gelombang sumber cahaya: 13.5nm
- Jenis teknologi: DPP ( Discharge-Produced Plasma )
- Komponen utama: Sistem sumber cahaya, sistem kanta optik, sistem dwi-peringkat, sistem kawalan
 |
|---|
| Mesin perindustrian canggih ini melambangkan teknologi inovatif DPP oleh HIT untuk sumber cahaya EUV 135nm |
Kelebihan Teknikal
Sistem berasaskan DPP baharu ini mempunyai beberapa kelebihan penting, termasuk kecekapan penukaran tenaga yang tinggi, kos operasi yang lebih rendah, dan reka bentuk yang padat. Teknologi ini menunjukkan potensi dalam mengatasi batasan Hukum Moore sambil berpotensi mengurangkan kos keseluruhan pembuatan cip. Pembangunan sistem ini telah melalui fasa pengujian utama, dengan HIT memperoleh tujuh paten teras berkaitan teknologi tersebut.
Pelaburan dan Garis Masa Pembangunan
Pelaburan sebanyak 11 bilion dolar Amerika Syarikat telah diluluskan untuk projek ini, diketuai oleh anak syarikat Harbin daripada National Instruments Precision Group. Garis masa pembangunan menunjukkan kemajuan yang memberangsangkan, dengan prototaip awal diperkenalkan pada 2022, diikuti dengan model berfungsi pada 2023, dan pengujian kritikal yang berjaya pada awal 2024.
Butiran Pelaburan:
- Jumlah pelaburan: USD 11 bilion
- Organisasi utama: National Instruments Precision Group (cawangan Harbin)
- Paten yang diperoleh: 7 teknologi teras
Impak Industri dan Prospek Masa Depan
Walaupun kejayaan ini merupakan langkah penting ke hadapan, pakar industri menyatakan bahawa beberapa cabaran masih perlu diatasi sebelum pengkomersialan sepenuhnya. Ini termasuk peningkatan kestabilan sumber cahaya, pengoptimuman sistem, dan penyesuaian komersial. Menurut penganalisis industri, peralatan litografi EUV domestik mungkin tersedia antara 2026 dan 2028, berpotensi mengubah landskap persaingan industri semikonduktor global.
Garis Masa Pembangunan:
- 2022: Prototaip awal
- 2023: Penyiapan model kerja
- 2024: Fasa pengujian kritikal berjaya dilalui
- 2026-2028: Jangkaan ketersediaan untuk pasaran komersial
Implikasi Pasaran
Perkembangan ini boleh memberi implikasi yang meluas untuk syarikat seperti SMIC , yang kini menghadapi sekatan untuk mengakses peralatan pembuatan semikonduktor termaju. Kejayaan dalam membangunkan teknologi EUV domestik boleh membolehkan pengeluar semikonduktor China mengatasi halangan teknologi semasa dan bersaing dengan lebih berkesan dalam pasaran global.